- 零件状态 :
- 功耗(最大) :
- FET特性 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,146
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 | CoolMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | ISOTOP® | 833W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 31A (Tc) | 145 mOhm @ 22A, 10V | 3.9V @ 2mA | 355nC @ 10V | 4510pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,725
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 34A TO-264 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-264-3, TO-264AA | TO-264 [L] | 417W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 34A (Tc) | 145 mOhm @ 22A, 10V | 3.9V @ 2mA | 355nC @ 10V | 4510pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,249
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 | CoolMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | ISOPLUS247™ | ISOPLUS247™ | - | N-Channel | Super Junction | 800V | 25A (Tc) | 150 mOhm @ 18A, 10V | 4V @ 2mA | 355nC @ 10V | - | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,894
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 Variant | T-MAX™ [B2] | 417W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 34A (Tc) | 145 mOhm @ 22A, 10V | 3.9V @ 2mA | 355nC @ 10V | 4510pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,979
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227 | HiPerFET™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227B | 1040W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 145A (Tc) | 17 mOhm @ 75A, 10V | 5V @ 8mA | 355nC @ 10V | 21000pF @ 25V | 10V | ±30V |