- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- FET特性 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,420
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH | - | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 Variant | TO-247HV | 290W (Tc) | N-Channel | Depletion Mode | 1700V | 1A (Tj) | 16 Ohm @ 500mA, 0V | 4.5V @ 250µA | 47nC @ 5V | 3090pF @ 25V | 0V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,193
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 | 290W (Tc) | N-Channel | Depletion Mode | 1700V | 1A (Tc) | 16 Ohm @ 500mA, 0V | - | 47nC @ 5V | 3090pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,811
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 90A TO-220 | STripFET™ | Not For New Designs | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -65°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 150W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 90A (Tc) | 6.5 mOhm @ 45A, 10V | 2.5V @ 250µA | 47nC @ 5V | 2700pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1