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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
DMP1005UFDF-13
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1,834
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad U-DFN2020-6 (Type F) 2.1W (Ta) P-Channel 12V 26A (Tc) 8.5 mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 47nC @ 8V 2475pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
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2,121
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 - Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerDI3333-8 1.9W (Ta) N-Channel 12V 70A (Tc) 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 47nC @ 8V 2385pF @ 6V 2.5V, 4.5V ±8V
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3,934
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerDI3333-8 1.9W (Ta) N-Channel 12V 70A (Tc) 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 47nC @ 8V 2385pF @ 6V 2.5V, 4.5V ±8V
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851
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerDI3333-8 1.9W (Ta) N-Channel 12V 70A (Tc) 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 47nC @ 8V 2385pF @ 6V 2.5V, 4.5V ±8V
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1,221
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerDI3333-8 1.9W (Ta) N-Channel 12V 70A (Tc) 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 47nC @ 8V 2385pF @ 6V 2.5V, 4.5V ±8V
DMN2044UCB4-7
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1,546
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Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 8V 24V U-WLB1010-4 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-UFBGA, WLBGA U-WLB1010-4 720mW N-Channel 20V 3.3A (Ta) 40 mOhm @ 1.5A, 4.5V 900mV @ 250µA 47nC @ 8V 1400pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
DMN2044UCB4-7
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2,569
有现货
Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 8V 24V U-WLB1010-4 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-UFBGA, WLBGA U-WLB1010-4 720mW N-Channel 20V 3.3A (Ta) 40 mOhm @ 1.5A, 4.5V 900mV @ 250µA 47nC @ 8V 1400pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
DMN2044UCB4-7
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2,008
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Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 8V 24V U-WLB1010-4 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-UFBGA, WLBGA U-WLB1010-4 720mW N-Channel 20V 3.3A (Ta) 40 mOhm @ 1.5A, 4.5V 900mV @ 250µA 47nC @ 8V 1400pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
DMP1005UFDF-7
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2,837
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad U-DFN2020-6 (Type F) 2.1W (Ta) P-Channel 12V 26A (Tc) 8.5 mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 47nC @ 8V 2475pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
DMP1005UFDF-7
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RFQ
739
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad U-DFN2020-6 (Type F) 2.1W (Ta) P-Channel 12V 26A (Tc) 8.5 mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 47nC @ 8V 2475pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
DMP1005UFDF-7
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1,219
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad U-DFN2020-6 (Type F) 2.1W (Ta) P-Channel 12V 26A (Tc) 8.5 mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 47nC @ 8V 2475pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
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