- 制造商 :
- 系列 :
- 包装材料 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- Vgs（最大值） :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
2,154
有现货
|
Cree/Wolfspeed | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET | C3M™ | Active | Tape & Reel (TR) | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | TO-263-7 | 113.5W (Tc) | N-Channel | - | 1000V | 35A (Tc) | 78 mOhm @ 20A, 15V | 3.5V @ 5mA | 35nC @ 15V | 660pF @ 600V | 15V | +15V, -4V | ||
|
|
获得报价 |
3,762
有现货
|
IXYS | FET N-CHANNEL | HiPerFET™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220 Isolated Tab | 34W (Tc) | N-Channel | - | 300V | 38A (Tc) | - | - | 35nC @ 15V | 2440pF @ 15V | - | - | ||
|
|
获得报价 |
1,119
有现货
|
Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 | C3M™ | Active | Tube | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | D2PAK-7 | 113.5W (Tc) | N-Channel | - | 1000V | 35A (Tc) | 78 mOhm @ 20A, 15V | 3.5V @ 5mA | 35nC @ 15V | 660pF @ 600V | 15V | +15V, -4V | ||
|
|
获得报价 |
2,578
有现货
|
Cree/Wolfspeed | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET | C3M™ | Active | Tube | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | TO-247-4 | TO-247-4L | 113.5W (Tc) | N-Channel | - | 1000V | 35A (Tc) | 78 mOhm @ 20A, 15V | 3.5V @ 5mA | 35nC @ 15V | 660pF @ 600V | 15V | +19V, -8V |
粤ICP备2022113175号-1