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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRFBL3703
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RFQ
3,821
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) - Surface Mount SUPER D2-PAK SUPER D2-PAK 3.8W (Ta), 300W (Tc) N-Channel - 30V 260A (Tc) 2.5 mOhm @ 76A, 10V 4V @ 250µA 209nC @ 10V 8250pF @ 25V 7V, 10V ±20V
IRFP3703
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RFQ
3,283
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC HEXFET® Obsolete Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AC 3.8W (Ta), 230W (Tc) N-Channel - 30V 210A (Tc) 2.8 mOhm @ 76A, 10V 4V @ 250µA 209nC @ 10V 8250pF @ 25V 7V, 10V ±20V
IRF3703PBF
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$3.11
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RFQ
2,584
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 3.8W (Ta), 230W (Tc) N-Channel - 30V 210A (Tc) 2.8 mOhm @ 76A, 10V 4V @ 250µA 209nC @ 10V 8250pF @ 25V 7V, 10V ±20V
IRFP3703PBF
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$4.52
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RFQ
2,837
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC HEXFET® Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AC 3.8W (Ta), 230W (Tc) N-Channel - 30V 210A (Tc) 2.8 mOhm @ 76A, 10V 4V @ 250µA 209nC @ 10V 8250pF @ 25V 7V, 10V ±20V
FDMS7650
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$1.07
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RFQ
2,892
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V POWER56 PowerTrench® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 2.5W (Ta), 104W (Tc) N-Channel - 30V 36A (Ta), 100A (Tc) 0.99 mOhm @ 36A, 10V 3V @ 250µA 209nC @ 10V 14965pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
FDMS7650
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RFQ
2,482
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V POWER56 PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 2.5W (Ta), 104W (Tc) N-Channel - 30V 36A (Ta), 100A (Tc) 0.99 mOhm @ 36A, 10V 3V @ 250µA 209nC @ 10V 14965pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
FDMS7650
单位
$2.66
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RFQ
2,417
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V POWER56 PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 2.5W (Ta), 104W (Tc) N-Channel - 30V 36A (Ta), 100A (Tc) 0.99 mOhm @ 36A, 10V 3V @ 250µA 209nC @ 10V 14965pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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