- 制造商 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
- Vgs（最大值） :
6 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,850
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC | PowerTrench® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 8.4A (Ta) | 22 mOhm @ 8.4A, 10V | 3V @ 250µA | 7.6nC @ 5V | 560pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,668
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 8.4A (Ta) | 22 mOhm @ 8.4A, 10V | 3V @ 250µA | 7.6nC @ 5V | 560pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
937
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC | PowerTrench® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 8.4A (Ta) | 22 mOhm @ 8.4A, 10V | 3V @ 250µA | 7.6nC @ 5V | 560pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
845
有现货
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EPC | TRANS GAN 40V BUMPED DIE | eGaN® | Active | Digi-Reel® | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | Die | Die | - | N-Channel | - | 40V | 16A (Ta) | 5 mOhm @ 15A, 5V | 2.5V @ 6mA | 7.6nC @ 5V | 805pF @ 20V | 5V | +6V, -4V | ||
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获得报价 |
2,866
有现货
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EPC | TRANS GAN 40V BUMPED DIE | eGaN® | Active | Cut Tape (CT) | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | Die | Die | - | N-Channel | - | 40V | 16A (Ta) | 5 mOhm @ 15A, 5V | 2.5V @ 6mA | 7.6nC @ 5V | 805pF @ 20V | 5V | +6V, -4V | ||
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获得报价 |
2,638
有现货
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EPC | TRANS GAN 40V BUMPED DIE | eGaN® | Active | Tape & Reel (TR) | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | Die | Die | - | N-Channel | - | 40V | 16A (Ta) | 5 mOhm @ 15A, 5V | 2.5V @ 6mA | 7.6nC @ 5V | 805pF @ 20V | 5V | +6V, -4V |
粤ICP备2022113175号-1