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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 | - | Active | Tube | SiCFET (Silicon Carbide) | 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 | 108W (Tc) | N-Channel | 1200V | 14A (Tc) | 364 mOhm @ 4A, 18V | 4V @ 1.4mA | 36nC @ 18V | 667pF @ 800V | 18V | +22V, -6V |
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