- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
获得报价 |
3,047
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3 | CoolMOS™ | Not For New Designs | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | PG-TO247-3 | 481W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 77.5A (Tc) | 41 mOhm @ 44.4A, 10V | 3.5V @ 2.96mA | 290nC @ 10V | 6530pF @ 10V | 10V | ±20V | |||
|
获得报价 |
3,237
有现货
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | CoolMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-264-3, TO-264AA | TO-264 [L] | 862W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 97A (Tc) | 41 mOhm @ 48.5A, 10V | 3.5V @ 2.96mA | 300nC @ 10V | 7650pF @ 25V | 10V | ±20V |