- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,591
有现货
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Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | OptiMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 3W (Ta), 100W (Tc) | N-Channel | 60V | 24A (Ta), 100A (Tc) | 2.8 mOhm @ 50A, 10V | 3.3V @ 50µA | 49nC @ 10V | 3375pF @ 30V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,649
有现货
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Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 3W (Ta), 100W (Tc) | N-Channel | 60V | 24A (Ta), 100A (Tc) | 2.8 mOhm @ 50A, 10V | 3.3V @ 50µA | 49nC @ 10V | 3375pF @ 30V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,838
有现货
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Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 3W (Ta), 100W (Tc) | N-Channel | 60V | 24A (Ta), 100A (Tc) | 2.8 mOhm @ 50A, 10V | 3.3V @ 50µA | 49nC @ 10V | 3375pF @ 30V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,558
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V TO220-3 | OptiMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | PG-TO220-FP | 36W (Tc) | N-Channel | 60V | 69A (Tc) | 4 mOhm @ 69A, 10V | 3.3V @ 50µA | 44nC @ 10V | 3375pF @ 30V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,213
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | OptiMOS™ | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 107W (Tc) | N-Channel | 60V | 90A (Tc) | 3.3 mOhm @ 90A, 10V | 3.3V @ 50µA | 44nC @ 10V | 3400pF @ 30V | 6V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1