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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
DMG4468LK3-13
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RFQ
3,867
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3 1.68W (Ta) N-Channel 30V 9.7A (Ta) 16 mOhm @ 11.6A, 10V 1.95V @ 250µA 18.85nC @ 10V 867pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
DMG4468LK3-13
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$0.63
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RFQ
1,962
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3 1.68W (Ta) N-Channel 30V 9.7A (Ta) 16 mOhm @ 11.6A, 10V 1.95V @ 250µA 18.85nC @ 10V 867pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
DMG4468LK3-13
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$0.20
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2,248
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3 1.68W (Ta) N-Channel 30V 9.7A (Ta) 16 mOhm @ 11.6A, 10V 1.95V @ 250µA 18.85nC @ 10V 867pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
DMN4468LSS-13
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Diodes Incorporated MOSFET N CH 30V 10A 8SOP - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.52W (Ta) N-Channel 30V 10A (Ta) 14 mOhm @ 11.6A, 10V 1.95V @ 250µA 18.85nC @ 10V 867pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
DMN4468LSS-13
单位
$0.47
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RFQ
742
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Diodes Incorporated MOSFET N CH 30V 10A 8SOP - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.52W (Ta) N-Channel 30V 10A (Ta) 14 mOhm @ 11.6A, 10V 1.95V @ 250µA 18.85nC @ 10V 867pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
DMN4468LSS-13
单位
$0.15
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RFQ
1,892
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Diodes Incorporated MOSFET N CH 30V 10A 8SOP - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.52W (Ta) N-Channel 30V 10A (Ta) 14 mOhm @ 11.6A, 10V 1.95V @ 250µA 18.85nC @ 10V 867pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
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