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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPP020N08N5AKSA1
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$5.41
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RFQ
1,694
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Infineon Technologies MOSFET N-CH TO220-3 OptiMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 PG-TO-220-3 375W (Tc) N-Channel - 80V 120A (Tc) 2 mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 280µA 223nC @ 10V 16900pF @ 40V 6V, 10V ±20V
IPB017N08N5ATMA1
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2,835
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 375W (Tc) N-Channel - 80V 120A (Tc) 1.7 mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 280µA 223nC @ 10V 16900pF @ 40V 6V, 10V ±20V
IPB017N08N5ATMA1
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RFQ
2,388
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 375W (Tc) N-Channel - 80V 120A (Tc) 1.7 mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 280µA 223nC @ 10V 16900pF @ 40V 6V, 10V ±20V
IPB017N08N5ATMA1
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2,835
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 375W (Tc) N-Channel - 80V 120A (Tc) 1.7 mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 280µA 223nC @ 10V 16900pF @ 40V 6V, 10V ±20V
IPT012N08N5ATMA1
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1,948
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerSFN PG-HSOF-8-1 375W (Tc) N-Channel - 80V 300A (Tc) 1.2 mOhm @ 150A, 10V 3.8V @ 280µA 223nC @ 10V 17000pF @ 40V 6V, 10V ±20V
IPT012N08N5ATMA1
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$6.67
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RFQ
811
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerSFN PG-HSOF-8-1 375W (Tc) N-Channel - 80V 300A (Tc) 1.2 mOhm @ 150A, 10V 3.8V @ 280µA 223nC @ 10V 17000pF @ 40V 6V, 10V ±20V
IPT012N08N5ATMA1
单位
$3.37
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RFQ
1,215
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerSFN PG-HSOF-8-1 375W (Tc) N-Channel - 80V 300A (Tc) 1.2 mOhm @ 150A, 10V 3.8V @ 280µA 223nC @ 10V 17000pF @ 40V 6V, 10V ±20V
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