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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPP80N04S403AKSA1
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1,957
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1 OptiMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 PG-TO220-3-1 94W (Tc) N-Channel - 40V 80A (Tc) 3.7 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 53µA 66nC @ 10V 5260pF @ 25V 10V ±20V
IPI80N04S403AKSA1
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3,047
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1 OptiMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA PG-TO262-3 94W (Tc) N-Channel - 40V 80A (Tc) 3.7 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 53µA 66nC @ 10V 5260pF @ 25V 10V ±20V
IPB80N04S403ATMA1
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3,909
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 94W (Tc) N-Channel - 40V 80A (Tc) 3.3 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 53µA 66nC @ 10V 5260pF @ 25V 10V ±20V
IPB80N04S403ATMA1
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2,645
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 94W (Tc) N-Channel - 40V 80A (Tc) 3.3 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 53µA 66nC @ 10V 5260pF @ 25V 10V ±20V
IPB80N04S403ATMA1
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1,672
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 94W (Tc) N-Channel - 40V 80A (Tc) 3.3 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 53µA 66nC @ 10V 5260pF @ 25V 10V ±20V
IPD90N04S403ATMA1
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1,023
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3-313 94W (Tc) N-Channel - 40V 90A (Tc) 3.2 mOhm @ 90A, 10V 4V @ 53µA 66.8nC @ 10V 5260pF @ 25V 10V ±20V
IPD90N04S403ATMA1
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1,068
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3-313 94W (Tc) N-Channel - 40V 90A (Tc) 3.2 mOhm @ 90A, 10V 4V @ 53µA 66.8nC @ 10V 5260pF @ 25V 10V ±20V
IPD90N04S403ATMA1
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3,620
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3-313 94W (Tc) N-Channel - 40V 90A (Tc) 3.2 mOhm @ 90A, 10V 4V @ 53µA 66.8nC @ 10V 5260pF @ 25V 10V ±20V
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