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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPA50R190CE
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RFQ
3,230
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP CoolMOS™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack PG-TO-220-FP 32W (Tc) N-Channel Super Junction 500V 18.5A (Tc) 190 mOhm @ 6.2A, 13V 3.5V @ 510µA 47.2nC @ 10V 1137pF @ 100V 13V ±20V
IPW50R190CEFKSA1
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$1.53
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RFQ
1,534
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247 CoolMOS™ Last Time Buy Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 PG-TO247-3 127W (Tc) N-Channel Super Junction 500V 18.5A (Tc) 190 mOhm @ 6.2A, 13V 3.5V @ 510µA 47.2nC @ 10V 1137pF @ 100V 13V ±20V
IPA50R190CEXKSA2
单位
$1.76
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RFQ
1,345
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP CoolMOS™ CE Not For New Designs Tube MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack PG-TO220 Full Pack 32W (Tc) N-Channel - 500V 18.5A (Tc) 190 mOhm @ 6.2A, 13V 3.5V @ 510µA 47.2nC @ 10V 1137pF @ 100V 13V ±20V
IPP50R190CEXKSA1
单位
$1.76
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RFQ
2,900
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220 CoolMOS™ CE Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 PG-TO-220-3 127W (Tc) N-Channel - 500V 18.5A (Tc) 190 mOhm @ 6.2A, 13V 3.5V @ 510µA 47.2nC @ 10V 1137pF @ 100V 13V ±20V
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