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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
2SK3811-ZP-E1-AY
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 1.5W (Ta), 213W (Tc) N-Channel 40V 110A (Tc) 1.8 mOhm @ 55A, 10V - 260nC @ 10V 17700pF @ 10V 10V ±20V
2SK3811-ZP-E1-AY
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 - Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 1.5W (Ta), 213W (Tc) N-Channel 40V 110A (Tc) 1.8 mOhm @ 55A, 10V - 260nC @ 10V 17700pF @ 10V 10V ±20V
2SK3811-ZP-E1-AY
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 1.5W (Ta), 213W (Tc) N-Channel 40V 110A (Tc) 1.8 mOhm @ 55A, 10V - 260nC @ 10V 17700pF @ 10V 10V ±20V
NP110N04PUG-E1-AY
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 1.8W (Ta), 288W (Tc) N-Channel 40V 110A (Tc) 1.8 mOhm @ 55A, 10V 4V @ 250µA 390nC @ 10V 25700pF @ 25V 10V ±20V
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