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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NDD01N60T4G
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RFQ
1,858
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 46W (Tc) N-Channel 600V 1.5A (Tc) 8.5 Ohm @ 200mA, 10V 3.7V @ 50µA 7.2nC @ 10V 160pF @ 25V 10V ±30V
NDD01N60-1G
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RFQ
2,232
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA I-PAK 46W (Tc) N-Channel 600V 1.5A (Tc) 8.5 Ohm @ 200mA, 10V 3.7V @ 50µA 7.2nC @ 10V 160pF @ 25V 10V ±30V
NDT01N60T1G
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RFQ
1,281
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223 - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 (TO-261) 2.5W (Tc) N-Channel 600V 400mA (Tc) 8.5 Ohm @ 200mA, 10V 3.7V @ 50µA 7.2nC @ 10V 160pF @ 25V 10V ±30V
NDT01N60T1G
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RFQ
1,620
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223 - Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 (TO-261) 2.5W (Tc) N-Channel 600V 400mA (Tc) 8.5 Ohm @ 200mA, 10V 3.7V @ 50µA 7.2nC @ 10V 160pF @ 25V 10V ±30V
NDT01N60T1G
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RFQ
2,353
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223 - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 (TO-261) 2.5W (Tc) N-Channel 600V 400mA (Tc) 8.5 Ohm @ 200mA, 10V 3.7V @ 50µA 7.2nC @ 10V 160pF @ 25V 10V ±30V
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