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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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3,201
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Microsemi Corporation | N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD | Military, MIL-PRF-19500/614 | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-257-3 | TO-257 | 2W (Ta), 75W (Tc) | N-Channel | 100V | 14.4A (Tc) | 200 mOhm @ 14.4A, 12V | 4V @ 1mA | 40nC @ 12V | 12V | ±20V |