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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB | U-MOSIV | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | 60W (Tc) | N-Channel | 60V | 25A (Ta) | 18 mOhm @ 12.5A, 10V | 29nC @ 10V | - |