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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BSB012NE2LX
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RFQ
909
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2 OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-WDSON MG-WDSON-2, CanPAK M™ 2.8W (Ta), 57W (Tc) N-Channel - 25V 37A (Ta), 170A (Tc) 1.2 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 67nC @ 10V 4900pF @ 12V 4.5V, 10V ±20V
BSB012NE2LX
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RFQ
647
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2 OptiMOS™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-WDSON MG-WDSON-2, CanPAK M™ 2.8W (Ta), 57W (Tc) N-Channel - 25V 37A (Ta), 170A (Tc) 1.2 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 67nC @ 10V 4900pF @ 12V 4.5V, 10V ±20V
BSB012NE2LX
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RFQ
3,975
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2 OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-WDSON MG-WDSON-2, CanPAK M™ 2.8W (Ta), 57W (Tc) N-Channel - 25V 37A (Ta), 170A (Tc) 1.2 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 67nC @ 10V 4900pF @ 12V 4.5V, 10V ±20V
BSB012N03LX3 G
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RFQ
3,943
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-WDSON MG-WDSON-2, CanPAK M™ 2.8W (Ta), 89W (Tc) N-Channel - 30V 39A (Ta), 180A (Tc) 1.2 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 169nC @ 10V 16900pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
BSB012N03LX3 G
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RFQ
2,780
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON OptiMOS™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-WDSON MG-WDSON-2, CanPAK M™ 2.8W (Ta), 89W (Tc) N-Channel - 30V 39A (Ta), 180A (Tc) 1.2 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 169nC @ 10V 16900pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
BSB012N03LX3 G
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RFQ
852
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-WDSON MG-WDSON-2, CanPAK M™ 2.8W (Ta), 89W (Tc) N-Channel - 30V 39A (Ta), 180A (Tc) 1.2 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 169nC @ 10V 16900pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
NTMFS4933NT1G
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$1.88
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RFQ
3,101
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 20A SO8FL - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN, 5 Leads 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 1.06W (Ta), 104W (Tc) N-Channel - 30V 20A (Ta), 210A (Tc) 1.2 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 62.1nC @ 4.5V 10930pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
NTMFS4933NT3G
单位
$1.72
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RFQ
2,491
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 20A SO8FL - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN, 5 Leads 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 1.06W (Ta), 104W (Tc) N-Channel - 30V 20A (Ta), 210A (Tc) 1.2 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 62.1nC @ 4.5V 10930pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
BSB012NE2LXIXUMA1
单位
$0.92
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RFQ
3,065
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 170A WDSON OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-WDSON MG-WDSON-2, CanPAK M™ 2.8W (Ta), 57W (Tc) N-Channel - 25V 170A (Tc) 1.2 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 82nC @ 10V 5852pF @ 12V 4.5V, 10V ±20V
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