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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IXFX66N50Q2
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RFQ
2,900
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IXYS MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247 HiPerFET™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 PLUS247™-3 735W (Tc) N-Channel - 500V 66A (Tc) 80 mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 8mA 200nC @ 10V 9125pF @ 25V 10V ±30V
IXFN66N50Q2
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3,881
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IXYS MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B HiPerFET™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B 735W (Tc) N-Channel - 500V 66A (Tc) 80 mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 8mA 199nC @ 10V 6800pF @ 25V 10V ±30V
IXFK66N50Q2
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RFQ
2,121
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IXYS MOSFET N-CH 500V 66A TO-264 HiPerFET™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-264-3, TO-264AA TO-264AA (IXFK) 735W (Tc) N-Channel - 500V 66A (Tc) 80 mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 8mA 200nC @ 10V 8400pF @ 25V 10V ±30V
APT60M80JVR
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RFQ
1,249
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227 POWER MOS V® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP® 568W (Tc) N-Channel - 600V 55A (Tc) 80 mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 5mA 870nC @ 10V 14500pF @ 25V 10V ±30V
IXFX55N50
单位
$19.95
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RFQ
656
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IXYS MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 HiPerFET™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 PLUS247™-3 625W (Tc) N-Channel - 500V 55A (Tc) 80 mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 8mA 330nC @ 10V 9400pF @ 25V 10V ±20V
IXFT40N30Q
单位
$9.82
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RFQ
2,078
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IXYS MOSFET N-CH 300V 40A TO-268 HiPerFET™ Last Time Buy Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268 300W (Tc) N-Channel - 300V 40A (Tc) 80 mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 140nC @ 10V 3100pF @ 25V 10V ±20V
IXFH40N30Q
单位
$8.44
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RFQ
3,983
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IXYS MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD HiPerFET™ Last Time Buy Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AD (IXFH) 300W (Tc) N-Channel - 300V 40A (Tc) 80 mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 140nC @ 10V 3100pF @ 25V 10V ±20V
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