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功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRF734L
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RFQ
3,028
有现货
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-262 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA I2PAK - N-Channel 450V 4.9A (Tc) 1.2 Ohm @ 2.9A, 10V 4V @ 250µA 45nC @ 10V 680pF @ 25V 10V ±20V
IRF734PBF
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RFQ
2,689
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 74W (Tc) N-Channel 450V 4.9A (Tc) 1.2 Ohm @ 2.9A, 10V 4V @ 250µA 45nC @ 10V 680pF @ 25V 10V ±20V
STFILED627
单位
$1.18
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RFQ
3,211
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 620V 7A I2PAK - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Full Pack, I²Pak I2PAKFP (TO-281) 30W (Tc) N-Channel 620V 7A (Tc) 1.2 Ohm @ 2.9A, 10V 4.5V @ 50µA 35nC @ 10V 890pF @ 50V 10V ±30V
IRF734
单位
$1.42
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RFQ
3,633
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 74W (Tc) N-Channel 450V 4.9A (Tc) 1.2 Ohm @ 2.9A, 10V 4V @ 250µA 45nC @ 10V 680pF @ 25V 10V ±20V
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