- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
732
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 1.8W (Ta) | N-Channel | 30V | 9.4A (Ta) | 12 mOhm @ 12.4A, 10V | 2V @ 250µA | 10.5nC @ 5V | - | 4.5V, 10V | ±12V | ||
|
|
|
获得报价 |
890
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 1.8W (Ta) | N-Channel | 30V | 9.4A (Ta) | 12 mOhm @ 12.4A, 10V | 2V @ 250µA | 10.5nC @ 5V | - | 4.5V, 10V | ±12V | ||
|
|
获得报价 |
1,461
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC | TrenchFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 1.6W (Ta) | N-Channel | 30V | 8.8A (Ta) | 12 mOhm @ 12.4A, 10V | 800mV @ 250µA (Min) | 10.5nC @ 5V | - | 4.5V, 10V | ±20V | ||
|
|
|
获得报价 |
2,511
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC | TrenchFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 1.6W (Ta) | N-Channel | 30V | 8.8A (Ta) | 12 mOhm @ 12.4A, 10V | 800mV @ 250µA (Min) | 10.5nC @ 5V | - | 4.5V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1