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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI1051X-T1-GE3
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RFQ
2,107
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 SC-89-6 236mW (Ta) P-Channel 8V - 122 mOhm @ 1.2A, 4.5V 1V @ 250µA 9.45nC @ 5V 560pF @ 4V 1.5V, 4.5V ±5V
SI1051X-T1-GE3
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RFQ
745
有现货
Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 TrenchFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 SC-89-6 236mW (Ta) P-Channel 8V - 122 mOhm @ 1.2A, 4.5V 1V @ 250µA 9.45nC @ 5V 560pF @ 4V 1.5V, 4.5V ±5V
SI1051X-T1-GE3
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RFQ
3,545
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 SC-89-6 236mW (Ta) P-Channel 8V - 122 mOhm @ 1.2A, 4.5V 1V @ 250µA 9.45nC @ 5V 560pF @ 4V 1.5V, 4.5V ±5V
SI1051X-T1-E3
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RFQ
2,003
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 SC-89-6 236mW (Ta) P-Channel 8V - 122 mOhm @ 1.2A, 4.5V 1V @ 250µA 9.45nC @ 5V 560pF @ 4V 1.5V, 4.5V ±5V
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