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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRF9383MTR1PBF
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET HEXFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount DirectFET™ Isometric MX DIRECTFET™ MX 2.1W (Ta), 113W (Tc) P-Channel - 30V 22A (Ta), 160A (Tc) 2.9 mOhm @ 22A, 10V 2.4V @ 150µA 130nC @ 10V 7305pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET HEXFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount DirectFET™ Isometric MX DIRECTFET™ MX 2.1W (Ta), 113W (Tc) P-Channel - 30V 22A (Ta), 160A (Tc) 2.9 mOhm @ 22A, 10V 2.4V @ 150µA 130nC @ 10V 7305pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount DirectFET™ Isometric MX DIRECTFET™ MX 2.1W (Ta), 113W (Tc) P-Channel - 30V 22A (Ta), 160A (Tc) 2.9 mOhm @ 22A, 10V 2.4V @ 150µA 130nC @ 10V 7305pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 22A BGA PowerTrench® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 36-VFBGA 36-BGA (5x5.5) 2.8W (Ta) N-Channel - 30V 22A (Ta) 2.9 mOhm @ 22A, 10V 3V @ 250µA 73nC @ 5V 4993pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET HEXFET® Last Time Buy Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount DirectFET™ Isometric MX DIRECTFET™ MX 2.1W (Ta), 113W (Tc) P-Channel - 30V 22A (Ta), 160A (Tc) 2.9 mOhm @ 22A, 10V 2.4V @ 150µA 130nC @ 10V 7305pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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