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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI7344DP-T1-E3
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RFQ
3,769
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8 TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 1.8W (Ta) N-Channel - 20V 11A (Ta) 8 mOhm @ 17A, 10V 2.1V @ 250µA 15nC @ 4.5V - 4.5V, 10V ±20V
SI7344DP-T1-E3
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784
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8 TrenchFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 1.8W (Ta) N-Channel - 20V 11A (Ta) 8 mOhm @ 17A, 10V 2.1V @ 250µA 15nC @ 4.5V - 4.5V, 10V ±20V
SI7344DP-T1-E3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8 TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 1.8W (Ta) N-Channel - 20V 11A (Ta) 8 mOhm @ 17A, 10V 2.1V @ 250µA 15nC @ 4.5V - 4.5V, 10V ±20V
TPH8R008NH,L1Q
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 80V 34A SOP U-MOSVIII-H Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-SOP Advance (5x5) 1.6W (Ta), 61W (Tc) N-Channel - 80V 34A (Tc) 8 mOhm @ 17A, 10V 4V @ 500µA 35nC @ 10V 3000pF @ 40V 10V ±20V
TPH8R008NH,L1Q
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1,463
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 80V 34A SOP U-MOSVIII-H Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-SOP Advance (5x5) 1.6W (Ta), 61W (Tc) N-Channel - 80V 34A (Tc) 8 mOhm @ 17A, 10V 4V @ 500µA 35nC @ 10V 3000pF @ 40V 10V ±20V
TPH8R008NH,L1Q
单位
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 80V 34A SOP U-MOSVIII-H Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-SOP Advance (5x5) 1.6W (Ta), 61W (Tc) N-Channel - 80V 34A (Tc) 8 mOhm @ 17A, 10V 4V @ 500µA 35nC @ 10V 3000pF @ 40V 10V ±20V
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