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功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
AOC2411
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 30V 3.4A 4WLCSP Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-UFBGA, WLCSP 4-WLCSP (1.6x1.6) 800mW (Ta) P-Channel 30V 3.4A (Ta) 45 mOhm @ 1A, 4.5V 1.4V @ 250µA 20nC @ 4.5V 1630pF @ 15V 2.5V, 4.5V ±12V
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2,056
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 30V 3.4A 4WLCSP Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-UFBGA, WLCSP 4-WLCSP (1.6x1.6) 800mW (Ta) P-Channel 30V 3.4A (Ta) 45 mOhm @ 1A, 4.5V 1.4V @ 250µA 20nC @ 4.5V 1630pF @ 15V 2.5V, 4.5V ±12V
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RFQ
3,047
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 30V 3.4A 4WLCSP Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-UFBGA, WLCSP 4-WLCSP (1.6x1.6) 800mW (Ta) P-Channel 30V 3.4A (Ta) 45 mOhm @ 1A, 4.5V 1.4V @ 250µA 20nC @ 4.5V 1630pF @ 15V 2.5V, 4.5V ±12V
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RFQ
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 4.6A U-WLB1010-4 Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-UFBGA, WLBGA U-WLB1010-4 1.4W P-Channel 60V 4.6A (Ta) 45 mOhm @ 1A, 4.5V 1.2V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V 218pF @ 10V 2.5V, 4.5V -6V
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