- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
3 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
968
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 [K] | 225W (Tc) | N-Channel | - | 1000V | 6A (Tc) | 2.5 Ohm @ 3A, 10V | 5V @ 1mA | 43nC @ 10V | 1410pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,179
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 [B] | 335W (Tc) | N-Channel | - | 1200V | 8A (Tc) | 2.5 Ohm @ 3A, 10V | 5V @ 1mA | 80nC @ 10V | 2565pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,767
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS | π-MOSIV | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220SIS | 45W (Tc) | N-Channel | - | 900V | 5A (Ta) | 2.5 Ohm @ 3A, 10V | 4V @ 1mA | 28nC @ 10V | 1150pF @ 25V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1