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25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
PSMN3R5-30LL,115
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NXP USA Inc. MOSFET N-CH 30V QFN3333 - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-VDFN Exposed Pad 8-DFN3333 (3.3x3.3) 71W (Tc) N-Channel - 30V 40A (Tc) 3.6 mOhm @ 10A, 10V 2.15V @ 1mA 37nC @ 10V 2061pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
PSMN3R5-30LL,115
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917
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NXP USA Inc. MOSFET N-CH 30V QFN3333 - Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-VDFN Exposed Pad 8-DFN3333 (3.3x3.3) 71W (Tc) N-Channel - 30V 40A (Tc) 3.6 mOhm @ 10A, 10V 2.15V @ 1mA 37nC @ 10V 2061pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
PSMN3R5-30LL,115
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NXP USA Inc. MOSFET N-CH 30V QFN3333 - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-VDFN Exposed Pad 8-DFN3333 (3.3x3.3) 71W (Tc) N-Channel - 30V 40A (Tc) 3.6 mOhm @ 10A, 10V 2.15V @ 1mA 37nC @ 10V 2061pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 30V TrenchFET® Gen IV Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5W (Ta), 43W (Tc) N-Channel - 30V 30A (Ta), 60A (Tc) 3.6 mOhm @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA 36.2nC @ 10V 1710pF @ 15V 4.5V, 10V +20V, -16V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 30V TrenchFET® Gen IV Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5W (Ta), 43W (Tc) N-Channel - 30V 30A (Ta), 60A (Tc) 3.6 mOhm @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA 36.2nC @ 10V 1710pF @ 15V 4.5V, 10V +20V, -16V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 30V TrenchFET® Gen IV Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5W (Ta), 43W (Tc) N-Channel - 30V 30A (Ta), 60A (Tc) 3.6 mOhm @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA 36.2nC @ 10V 1710pF @ 15V 4.5V, 10V +20V, -16V
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