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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRFH8337TR2PBF
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RFQ
707
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PQFN (5x6) 3.2W (Ta), 27W (Tc) N-Channel - 30V 12A (Ta), 35A (Tc) 12.8 mOhm @ 16.2A, 10V 2.35V @ 25µA 10nC @ 10V 790pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
IRFH8337TR2PBF
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3,817
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN HEXFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PQFN (5x6) 3.2W (Ta), 27W (Tc) N-Channel - 30V 12A (Ta), 35A (Tc) 12.8 mOhm @ 16.2A, 10V 2.35V @ 25µA 10nC @ 10V 790pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
IRFH8337TRPBF
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2,107
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PQFN (5x6) 3.2W (Ta), 27W (Tc) N-Channel - 30V 12A (Ta), 35A (Tc) 12.8 mOhm @ 16.2A, 10V 2.35V @ 25µA 10nC @ 10V 790pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
IRFH8337TRPBF
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$0.97
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RFQ
3,147
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PQFN (5x6) 3.2W (Ta), 27W (Tc) N-Channel - 30V 12A (Ta), 35A (Tc) 12.8 mOhm @ 16.2A, 10V 2.35V @ 25µA 10nC @ 10V 790pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
IRFH8337TRPBF
单位
$0.34
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RFQ
3,545
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PQFN (5x6) 3.2W (Ta), 27W (Tc) N-Channel - 30V 12A (Ta), 35A (Tc) 12.8 mOhm @ 16.2A, 10V 2.35V @ 25µA 10nC @ 10V 790pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
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