- 功耗(最大) :
- FET型 :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,860
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | - | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) | 8-SOP (5.5x6.0) | 1W (Ta) | P-Channel | - | 30V | 11A (Ta) | 12 mOhm @ 5.5A, 10V | 2V @ 1mA | 107nC @ 10V | 5710pF @ 10V | 4V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,679
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT | STripFET™ | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (3.3x3.3) | 2.9W (Ta), 48W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 11A (Ta) | 12 mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 17nC @ 10V | 1035pF @ 30V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,858
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT | STripFET™ | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (3.3x3.3) | 2.9W (Ta), 48W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 11A (Ta) | 12 mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 17nC @ 10V | 1035pF @ 30V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,337
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT | STripFET™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (3.3x3.3) | 2.9W (Ta), 48W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 11A (Ta) | 12 mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 17nC @ 10V | 1035pF @ 30V | 10V | ±20V |