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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 580A SP6 | POWER MOS 7® | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SP6 | 2270W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 580A (Tc) | 3.6 mOhm @ 290A, 10V | 5V @ 15mA | 840nC @ 10V | 43300pF @ 25V | 10V | ±30V |
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