晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	SIHW47N65E-GE3		获得报价	PDF RFQ	884 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247AD	417W (Tc)	N-Channel	650V	47A (Tc)	72 mOhm @ 24A, 10V	4V @ 250µA	273nC @ 10V	5682pF @ 100V	10V	±20V
	SIHG47N65E-GE3	单位 $8.37	获得报价	PDF RFQ	635 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AC	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247AC	417W (Tc)	N-Channel	650V	47A (Tc)	72 mOhm @ 24A, 10V	4V @ 250µA	273nC @ 10V	5682pF @ 100V	10V	±30V

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