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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI5404BDC-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SMD, Flat Lead 1206-8 ChipFET™ 1.3W (Ta) N-Channel 20V 5.4A (Ta) 28 mOhm @ 5.4A, 4.5V 1.5V @ 250µA 11nC @ 4.5V - 2.5V, 4.5V ±12V
SI5404BDC-T1-E3
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1,253
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SMD, Flat Lead 1206-8 ChipFET™ 1.3W (Ta) N-Channel 20V 5.4A (Ta) 28 mOhm @ 5.4A, 4.5V 1.5V @ 250µA 11nC @ 4.5V - 2.5V, 4.5V ±12V
SI5404BDC-T1-E3
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RFQ
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 TrenchFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SMD, Flat Lead 1206-8 ChipFET™ 1.3W (Ta) N-Channel 20V 5.4A (Ta) 28 mOhm @ 5.4A, 4.5V 1.5V @ 250µA 11nC @ 4.5V - 2.5V, 4.5V ±12V
SI5404BDC-T1-E3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SMD, Flat Lead 1206-8 ChipFET™ 1.3W (Ta) N-Channel 20V 5.4A (Ta) 28 mOhm @ 5.4A, 4.5V 1.5V @ 250µA 11nC @ 4.5V - 2.5V, 4.5V ±12V
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