- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,842
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 | OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | PG-TO263-7-3 | 188W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 180A (Tc) | 1.05 mOhm @ 100A, 10V | 2.2V @ 140µA | 239nC @ 10V | 17600pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
3,684
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227 | GigaMOS™, TrenchT2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227B | 940W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 600A (Tc) | 1.05 mOhm @ 100A, 10V | 3.5V @ 250µA | 590nC @ 10V | 40000pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1