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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BSB017N03LX3 G
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RFQ
3,077
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-WDSON MG-WDSON-2, CanPAK M™ 2.8W (Ta), 57W (Tc) N-Channel - 30V 32A (Ta), 147A (Tc) 1.7 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 102nC @ 10V 7800pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
BSB017N03LX3 G
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RFQ
3,298
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON OptiMOS™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-WDSON MG-WDSON-2, CanPAK M™ 2.8W (Ta), 57W (Tc) N-Channel - 30V 32A (Ta), 147A (Tc) 1.7 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 102nC @ 10V 7800pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
BSB017N03LX3 G
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2,005
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-WDSON MG-WDSON-2, CanPAK M™ 2.8W (Ta), 57W (Tc) N-Channel - 30V 32A (Ta), 147A (Tc) 1.7 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 102nC @ 10V 7800pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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2,643
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 30A 136A 5DFN - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN, 5 Leads 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 3.1W (Ta), 64W (Tc) N-Channel - 30V 30A (Ta), 136A (Tc) 1.7 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 45.2nC @ 10V 3071pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SQM120N04-1M7_GE3
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860
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 120A TO263 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (D2Pak) 300W (Tc) N-Channel - 40V 120A (Tc) 1.7 mOhm @ 30A, 10V 3.5V @ 250µA 310nC @ 10V 17350pF @ 25V 10V ±20V
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1,315
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 200A TO-263 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-7 375W (Tc) N-Channel - 40V 200A (Tc) 1.7 mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 291nC @ 10V 11168pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
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RFQ
1,923
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 30A 136A 5DFN - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN, 5 Leads 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 3.1W (Ta), 64W (Tc) N-Channel - 30V 30A (Ta), 136A (Tc) 1.7 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 45.2nC @ 10V 3071pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SQM120N04-1M7L_GE3
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$3.04
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RFQ
2,802
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 120A TO263 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 375W (Tc) N-Channel - 40V 120A (Tc) 1.7 mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 285nC @ 10V 14606pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
SQM120N04-1M7L_GE3
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$1.58
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RFQ
2,894
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 120A TO263 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 375W (Tc) N-Channel - 40V 120A (Tc) 1.7 mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 285nC @ 10V 14606pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
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