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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NP60N04KUG-E1-AY
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1,578
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 40V 60A TO-263 - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 1.8W (Ta), 88W (Tc) N-Channel - 40V 60A (Tc) 6.1 mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 95nC @ 10V 5100pF @ 25V 10V ±20V
SUA70060E-E3
单位
$1.74
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RFQ
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 56.6A TO220 ThunderFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220 Full Pack 39W (Tc) N-Channel - 100V 56.6A (Tc) 6.1 mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 81nC @ 10V 3300pF @ 50V 7.5V, 10V ±20V
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