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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPD30N03S2L07ATMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 136W (Tc) N-Channel 30V 30A (Tc) 6.7 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 85µA 68nC @ 10V 1900pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
SPD30N03S2L07GBTMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 136W (Tc) N-Channel 30V 30A (Tc) 6.7 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 85µA 68nC @ 10V 2530pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 120A TO220AB Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 300W (Tc) P-Channel 60V 120A (Tc) 6.7 mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 270nC @ 10V 14280pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
SPD30N03S2L-07
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A DPAK OptiMOS™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 136W (Tc) N-Channel 30V 30A (Tc) 6.7 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 85µA 68nC @ 10V 2530pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
SPD30N03S2L-07
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A DPAK OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 136W (Tc) N-Channel 30V 30A (Tc) 6.7 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 85µA 68nC @ 10V 2530pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
SPD30N03S2L07T
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A DPAK OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 136W (Tc) N-Channel 30V 30A (Tc) 6.7 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 85µA 68nC @ 10V 2530pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
SQM120P06-07L_GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 120A TO263 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (D2Pak) 375W (Tc) P-Channel 60V 120A (Tc) 6.7 mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 270nC @ 10V 14280pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
SQM120P06-07L_GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 120A TO263 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (D2Pak) 375W (Tc) P-Channel 60V 120A (Tc) 6.7 mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 270nC @ 10V 14280pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
SQM120P06-07L_GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 120A TO263 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (D2Pak) 375W (Tc) P-Channel 60V 120A (Tc) 6.7 mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 270nC @ 10V 14280pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
TSM100N06CZ C0G
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET N-CHANNEL 60V 100A TO220 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 167W (Tc) N-Channel 60V 100A (Tc) 6.7 mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 92nC @ 10V 4382pF @ 30V 10V ±20V
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