晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	APT47F60J	单位 $32.85	获得报价	PDF RFQ	3,050 有现货	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227	POWER MOS 8™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	SOT-227-4, miniBLOC	ISOTOP®	540W (Tc)	N-Channel	-	600V	49A (Tc)	90 mOhm @ 33A, 10V	5V @ 2.5mA	330nC @ 10V	13190pF @ 25V	10V	±30V
	APT66F60L	单位 $21.32	获得报价	PDF RFQ	3,485 有现货	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 70A TO-264	POWER MOS 8™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-264-3, TO-264AA	TO-264 [L]	1135W (Tc)	N-Channel	-	600V	70A (Tc)	90 mOhm @ 33A, 10V	5V @ 2.5mA	330nC @ 10V	13190pF @ 25V	10V	±30V
	APT47M60J	单位 $33.36	获得报价	PDF RFQ	3,126 有现货	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227	POWER MOS 8™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	SOT-227-4, miniBLOC	ISOTOP®	540W (Tc)	N-Channel	-	600V	49A (Tc)	90 mOhm @ 33A, 10V	5V @ 2.5mA	330nC @ 10V	13190pF @ 25V	10V	±30V
	APT66F60B2	单位 $21.66	获得报价	PDF RFQ	2,367 有现货	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 70A TO-247	POWER MOS 8™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3 Variant	T-MAX™ [B2]	1135W (Tc)	N-Channel	-	600V	70A (Tc)	90 mOhm @ 33A, 10V	5V @ 2.5mA	330nC @ 10V	13190pF @ 25V	10V	±30V

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