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功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
FDS7764A
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC PowerTrench® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO - N-Channel - 30V 15A (Ta) 7.5 mOhm @ 15A, 4.5V 2V @ 250µA 40nC @ 4.5V 3451pF @ 15V - -
IRF7809TR
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 17.6A 8-SOIC HEXFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 3.5W (Ta) N-Channel - 30V 17.6A (Ta) 7.5 mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 86nC @ 5V 7300pF @ 16V 4.5V ±12V
FDS6570A
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785
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 20V 15A (Ta) 7.5 mOhm @ 15A, 4.5V 1.5V @ 250µA 66nC @ 5V 4700pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±8V
FDS6570A
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 20V 15A (Ta) 7.5 mOhm @ 15A, 4.5V 1.5V @ 250µA 66nC @ 5V 4700pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±8V
FDS6570A
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RFQ
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC PowerTrench® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 20V 15A (Ta) 7.5 mOhm @ 15A, 4.5V 1.5V @ 250µA 66nC @ 5V 4700pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±8V
IRF7809
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 17.6A 8-SOIC HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) - Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 3.5W (Ta) N-Channel - 30V 17.6A (Ta) 7.5 mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 86nC @ 5V 7300pF @ 16V 4.5V ±12V
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