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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IXFH28N60P3
单位
$4.70
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RFQ
1,122
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IXYS MOSFET N-CH 600V 28A TO247 HiPerFET™, Polar3™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AD (IXFH) 695W (Tc) N-Channel - 600V 28A (Tc) 260 mOhm @ 14A, 10V 5V @ 2.5mA 50nC @ 10V 3560pF @ 25V 10V ±30V
STY30NK90Z
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RFQ
1,094
有现货
STMicroelectronics MOSFET N-CH 900V 26A MAX247 SuperMESH™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -65°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 MAX247™ 450W (Tc) N-Channel - 900V 26A (Tc) 260 mOhm @ 14A, 10V 4.5V @ 150µA 490nC @ 10V 12000pF @ 25V 10V ±30V
STE30NK90Z
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RFQ
1,476
有现货
STMicroelectronics MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP SuperMESH™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -65°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount ISOTOP ISOTOP® 500W (Tc) N-Channel - 900V 28A (Tc) 260 mOhm @ 14A, 10V 4.5V @ 150µA 490nC @ 10V 12000pF @ 25V 10V ±30V
IXFQ28N60P3
单位
$5.32
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RFQ
2,525
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IXYS MOSFET N-CH 600V 28A TO3P HiPerFET™, Polar3™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P 695W (Tc) N-Channel - 600V 28A (Tc) 260 mOhm @ 14A, 10V 5V @ 2.5mA 50nC @ 10V 3560pF @ 25V 10V ±30V
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