- 制造商 :
- 零件状态 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,303
有现货
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IXYS | MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227 | TrenchP™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227B | 830W (Tc) | P-Channel | 200V | 106A (Tc) | 30 mOhm @ 60A, 10V | 4.5V @ 250µA | 740nC @ 10V | 73000pF @ 25V | 10V | ±15V | ||
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获得报价 |
2,450
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 60A TO-247 | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 | 215W (Tc) | P-Channel | 50V | 60A (Tc) | 30 mOhm @ 60A, 10V | 4V @ 250µA | 450nC @ 20V | 7200pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,360
有现货
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IXYS | MOSFET P-CH 200V 120A TO-264 | TrenchP™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | - | Through Hole | TO-264-3, TO-264AA | TO-264 (IXTK) | - | P-Channel | 200V | 120A (Tc) | 30 mOhm @ 60A, 10V | 4.5V @ 250µA | 740nC @ 10V | 73000pF @ 25V | - | - | ||
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获得报价 |
1,530
有现货
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IXYS | MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247 | TrenchP™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | - | Through Hole | TO-247-3 | PLUS247™-3 | - | P-Channel | 200V | 120A (Tc) | 30 mOhm @ 60A, 10V | 4.5V @ 250µA | 740nC @ 10V | 73000pF @ 25V | - | - |
粤ICP备2022113175号-1