- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,590
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 32A TO-247 | CoolMOS™ | Not For New Designs | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | PG-TO247-3 | 284W (Tc) | N-Channel | - | 560V | 32A (Tc) | 110 mOhm @ 20A, 10V | 3.9V @ 1.8mA | 170nC @ 10V | 4200pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,946
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 40A TO-264 | FRFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-264-3, TO-264AA | TO-264 | 460W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 40A (Tc) | 110 mOhm @ 20A, 10V | 5V @ 250µA | 200nC @ 10V | 7500pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
2,769
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 40A TO-264 | QFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-264-3, TO-264AA | TO-264 | 460W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 40A (Tc) | 110 mOhm @ 20A, 10V | 5V @ 250µA | 200nC @ 10V | 7500pF @ 25V | 10V | ±30V |