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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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RFQ
2,144
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IXYS MOSFET N-CH 100V 334A SMPD GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 24-PowerSMD, 21 Leads 24-SMPD 680W (Tc) N-Channel - 100V 334A (Tc) 2.6 mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 670nC @ 10V 4700pF @ 10V 10V ±20V
STH250N55F3-6
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RFQ
2,983
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6 STripFET™ III Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) H²PAK 300W (Tc) N-Channel - 55V 180A (Tc) 2.6 mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 100nC @ 10V 6800pF @ 25V 10V ±20V
STH250N55F3-6
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RFQ
2,527
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6 STripFET™ III Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) H²PAK 300W (Tc) N-Channel - 55V 180A (Tc) 2.6 mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 100nC @ 10V 6800pF @ 25V 10V ±20V
STH250N55F3-6
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RFQ
2,822
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6 STripFET™ III Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) H²PAK 300W (Tc) N-Channel - 55V 180A (Tc) 2.6 mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 100nC @ 10V 6800pF @ 25V 10V ±20V
IXFK420N10T
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1,120
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IXYS MOSFET N-CH 100V 420A TO-264 GigaMOS™ HiPerFET™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-264-3, TO-264AA TO-264AA (IXFK) 1670W (Tc) N-Channel - 100V 420A (Tc) 2.6 mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 670nC @ 10V 47000pF @ 25V 10V ±20V
IXFX420N10T
单位
$12.13
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RFQ
2,391
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IXYS MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247 GigaMOS™ HiPerFET™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 PLUS247™-3 1670W (Tc) N-Channel - 100V 420A (Tc) 2.6 mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 670nC @ 10V 47000pF @ 25V 10V ±20V
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