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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
AOTF2210L
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RFQ
1,487
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220-3F 8.3W (Ta), 36.5W (Tc) N-Channel - 200V 6.5A (Ta), 13A (Tc) 90 mOhm @ 13A, 10V 2.5V @ 250µA 40nC @ 10V 2065pF @ 100V 5V, 10V ±20V
IXTP26P10T
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$2.39
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RFQ
756
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IXYS MOSFET P-CH 100V 26A TO-220 TrenchP™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 150W (Tc) P-Channel - 100V 26A (Tc) 90 mOhm @ 13A, 10V 4.5V @ 250µA 52nC @ 10V 3820pF @ 25V 10V ±15V
IXTY26P10T
单位
$2.32
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RFQ
2,693
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IXYS MOSFET P-CH 100V 26A TO-252 TrenchP™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252 150W (Tc) P-Channel - 100V 26A (Tc) 90 mOhm @ 13A, 10V 4.5V @ 250µA 52nC @ 10V 3820pF @ 25V 10V ±15V
IXTA26P10T
单位
$2.56
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RFQ
2,783
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IXYS MOSFET P-CH 100V 26A TO-263 TrenchP™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (IXTA) 150W (Tc) P-Channel - 100V 26A (Tc) 90 mOhm @ 13A, 10V 4.5V @ 250µA 52nC @ 10V 3820pF @ 25V 10V ±15V
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