- 制造商 :
- 零件状态 :
- 功耗（最大） :
- FET型 :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
5 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,231
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -65°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 75W (Tc) | P-Channel | 100V | 12A (Tc) | 300 mOhm @ 6A, 10V | 4.5V @ 1mA | 50nC @ 10V | 920pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,700
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH | - | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 | 180W (Tc) | N-Channel | 700V | 12A (Tc) | 300 mOhm @ 6A, 10V | 4.5V @ 250µA | 19nC @ 10V | 960pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,547
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 650V 12A TO-247 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247-3 | 180W (Tc) | N-Channel | 650V | 12A (Tc) | 300 mOhm @ 6A, 10V | 5V @ 250µA | 17nC @ 10V | 1100pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,365
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 650V 12A TO-263 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant | TO-263AA | 180W (Tc) | N-Channel | 650V | 12A (Tc) | 300 mOhm @ 6A, 10V | 5V @ 250µA | 17nC @ 10V | 1100pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,445
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 180W (Tc) | N-Channel | 650V | 12A (Tc) | 300 mOhm @ 6A, 10V | 5V @ 250µA | 17nC @ 10V | 1100pF @ 25V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1