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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPA60R800CEXKSA1
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$0.49
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RFQ
2,368
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO-220-3 CoolMOS™ CE Last Time Buy Tube MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack PG-TO-220-FP 27W (Tc) N-Channel - 600V 5.6A (Tc) 800 mOhm @ 2A, 10V 3.5V @ 170µA 17.2nC @ 10V 373pF @ 100V 10V ±20V
IPD60R800CEATMA1
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RFQ
3,249
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO-252-3 CoolMOS™ CE Last Time Buy Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3 48W (Tc) N-Channel - 600V 5.6A (Tc) 800 mOhm @ 2A, 10V 3.5V @ 170µA 17.2nC @ 10V 373pF @ 100V 10V ±20V
IPD60R800CEATMA1
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$0.79
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RFQ
3,074
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO-252-3 CoolMOS™ CE Last Time Buy Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3 48W (Tc) N-Channel - 600V 5.6A (Tc) 800 mOhm @ 2A, 10V 3.5V @ 170µA 17.2nC @ 10V 373pF @ 100V 10V ±20V
IPD60R800CEATMA1
单位
$0.27
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RFQ
617
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO-252-3 CoolMOS™ CE Last Time Buy Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3 48W (Tc) N-Channel - 600V 5.6A (Tc) 800 mOhm @ 2A, 10V 3.5V @ 170µA 17.2nC @ 10V 373pF @ 100V 10V ±20V
IPAN60R800CEXKSA1
单位
$0.90
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RFQ
1,852
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Infineon Technologies MOSFET NCH 600V 8.4A TO220 CoolMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack PG-TO220 Full Pack 27W (Tc) N-Channel Super Junction 600V 8.4A (Tc) 800 mOhm @ 2A, 10V 3.5V @ 170µA 17.2nC @ 10V 373pF @ 100V 10V ±20V
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