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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	TK31J60W5,S1VQ	单位 $7.44	获得报价	PDF RFQ	3,748 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)	DTMOSIV	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Through Hole	TO-3P-3, SC-65-3	TO-3P(N)	230W (Tc)	N-Channel	Super Junction	600V	30.8A (Ta)	88 mOhm @ 15.4A, 10V	3.7V @ 1.5mA	105nC @ 10V	3000pF @ 300V	10V	±30V
	TK31A60W,S4VX	单位 $6.34	获得报价	PDF RFQ	2,013 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS	DTMOSIV	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	TO-220SIS	45W (Tc)	N-Channel	Super Junction	600V	30.8A (Ta)	88 mOhm @ 15.4A, 10V	3.7V @ 1.5mA	86nC @ 10V	3000pF @ 300V	10V	±30V
	TK31E60W,S1VX	单位 $6.34	获得报价	PDF RFQ	2,908 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220	DTMOSIV	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220	230W (Tc)	N-Channel	Super Junction	600V	30.8A (Ta)	88 mOhm @ 15.4A, 10V	3.7V @ 1.5mA	86nC @ 10V	3000pF @ 300V	10V	±30V
	TK31N60W,S1VF	单位 $8.74	获得报价	PDF RFQ	1,355 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 30.8A TO247	DTMOSIV	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247	230W (Tc)	N-Channel	Super Junction	600V	30.8A (Ta)	88 mOhm @ 15.4A, 10V	3.7V @ 1.5mA	86nC @ 10V	3000pF @ 300V	10V	±30V
	TK31J60W,S1VQ	单位 $8.74	获得报价	PDF RFQ	1,104 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)	DTMOSIV	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Through Hole	TO-3P-3, SC-65-3	TO-3P(N)	230W (Tc)	N-Channel	Super Junction	600V	30.8A (Ta)	88 mOhm @ 15.4A, 10V	3.7V @ 1.5mA	86nC @ 10V	3000pF @ 300V	10V	±30V

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