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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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2,059
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ON Semiconductor PMOS PWR56 40V 4.9 MOHM Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN Power56 214W (Tj) P-Channel - 40V 80A (Tc) 4.9 mOhm @ 80A, 10V 3V @ 250µA 107nC @ 10V 4840pF @ 20V 4.5V, 10V ±16V
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1,604
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ON Semiconductor MOSFET P-CH PWR TRENCH PT8-40V Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN Power56 214W (Tj) P-Channel - 40V 80A (Tc) 4.9 mOhm @ 80A, 10V 3V @ 250µA 107nC @ 10V 4840pF @ 20V 4.5V, 10V ±16V
IPB80P04P405ATMA1
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2,008
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Infineon Technologies MOSFET P-CH TO263-3 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 125W (Tc) P-Channel - 40V 80A (Tc) 4.9 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 151nC @ 10V 10300pF @ 25V 10V ±20V
IPB049N08N5ATMA1
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3,756
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V TO263-3 OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 125W (Tc) N-Channel - 80V 80A (Tc) 4.9 mOhm @ 80A, 10V 3.8V @ 66µA 53nC @ 10V 3770pF @ 40V 6V, 10V ±20V
IPB049NE7N3GATMA1
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2,818
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 150W (Tc) N-Channel - 75V 80A (Tc) 4.9 mOhm @ 80A, 10V 3.8V @ 91µA 68nC @ 10V 4750pF @ 37.5V 10V ±20V
IPB049NE7N3GATMA1
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2,460
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 150W (Tc) N-Channel - 75V 80A (Tc) 4.9 mOhm @ 80A, 10V 3.8V @ 91µA 68nC @ 10V 4750pF @ 37.5V 10V ±20V
IPB049NE7N3GATMA1
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2,280
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 150W (Tc) N-Channel - 75V 80A (Tc) 4.9 mOhm @ 80A, 10V 3.8V @ 91µA 68nC @ 10V 4750pF @ 37.5V 10V ±20V
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