晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IRFZ46NSTRRPBF		获得报价	PDF RFQ	1,638 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK	HEXFET®	Obsolete	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.8W (Ta), 107W (Tc)	N-Channel	-	55V	53A (Tc)	16.5 mOhm @ 28A, 10V	4V @ 250µA	72nC @ 10V	1696pF @ 25V	10V	±20V
	AUIRFZ46NL	单位 $0.99	获得报价	PDF RFQ	3,818 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 53A TO-262	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262	3.8W (Ta), 107W (Tc)	N-Channel	-	55V	39A (Tc)	16.5 mOhm @ 28A, 10V	4V @ 250µA	72nC @ 10V	1696pF @ 25V	10V	±20V
	IRFZ46NL		获得报价	PDF RFQ	3,429 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 53A TO-262	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262	3.8W (Ta), 107W (Tc)	N-Channel	-	55V	53A (Tc)	16.5 mOhm @ 28A, 10V	4V @ 250µA	72nC @ 10V	1696pF @ 25V	10V	±20V
	IRFZ46NS		获得报价	PDF RFQ	3,262 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.8W (Ta), 107W (Tc)	N-Channel	-	55V	53A (Tc)	16.5 mOhm @ 28A, 10V	4V @ 250µA	72nC @ 10V	1696pF @ 25V	10V	±20V
	IRFZ46NSTRL		获得报价	PDF RFQ	1,531 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK	HEXFET®	Obsolete	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.8W (Ta), 107W (Tc)	N-Channel	-	55V	53A (Tc)	16.5 mOhm @ 28A, 10V	4V @ 250µA	72nC @ 10V	1696pF @ 25V	10V	±20V
	IRFZ46NSPBF		获得报价	PDF RFQ	1,702 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK	HEXFET®	Discontinued at Digi-Key	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.8W (Ta), 107W (Tc)	N-Channel	-	55V	53A (Tc)	16.5 mOhm @ 28A, 10V	4V @ 250µA	72nC @ 10V	1696pF @ 25V	10V	±20V
	IRFZ46NPBF	单位 $1.14	获得报价	PDF RFQ	2,272 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 53A TO-220AB	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	107W (Tc)	N-Channel	-	55V	53A (Tc)	16.5 mOhm @ 28A, 10V	4V @ 250µA	72nC @ 10V	1696pF @ 25V	10V	±20V
	IRFZ46NLPBF	单位 $1.26	获得报价	PDF RFQ	1,403 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 53A TO-262	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262	3.8W (Ta), 107W (Tc)	N-Channel	-	55V	53A (Tc)	16.5 mOhm @ 28A, 10V	4V @ 250µA	72nC @ 10V	1696pF @ 25V	10V	±20V
	IRFZ46NSTRLPBF		获得报价	PDF RFQ	1,435 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.8W (Ta), 107W (Tc)	N-Channel	-	55V	53A (Tc)	16.5 mOhm @ 28A, 10V	4V @ 250µA	72nC @ 10V	1696pF @ 25V	10V	±20V
	IRFZ46NSTRLPBF	单位 $1.63	获得报价	PDF RFQ	3,417 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK	HEXFET®	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.8W (Ta), 107W (Tc)	N-Channel	-	55V	53A (Tc)	16.5 mOhm @ 28A, 10V	4V @ 250µA	72nC @ 10V	1696pF @ 25V	10V	±20V
	IRFZ46NSTRLPBF	单位 $0.75	获得报价	PDF RFQ	3,632 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK	HEXFET®	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.8W (Ta), 107W (Tc)	N-Channel	-	55V	53A (Tc)	16.5 mOhm @ 28A, 10V	4V @ 250µA	72nC @ 10V	1696pF @ 25V	10V	±20V

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