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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IXFT12N100Q
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821
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IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 HiPerFET™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268 300W (Tc) N-Channel - 1000V 12A (Tc) 1.05 Ohm @ 6A, 10V 5.5V @ 4mA 90nC @ 10V 2900pF @ 25V 10V ±20V
IXFH12N100P
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686
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IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 HiPerFET™, PolarP2™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AD (IXFH) 463W (Tc) N-Channel - 1000V 12A (Tc) 1.05 Ohm @ 6A, 10V 5V @ 1mA 80nC @ 10V 4080pF @ 25V 10V ±30V
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814
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IXYS POWER MOSFET TO-3 GigaMOS™ Last Time Buy - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-204AA, TO-3 TO-204AA 300W (Tc) N-Channel - 1000V 12A (Tc) 1.05 Ohm @ 6A, 10V 4.5V @ 250µA 170nC @ 10V 4000pF @ 25V 10V ±20V
IXFH12N100F
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IXYS-RF MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD HiPerRF™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3 Full Pack TO-247AD (IXFH) 300W (Tc) N-Channel - 1000V 12A (Tc) 1.05 Ohm @ 6A, 10V 5.5V @ 4mA 77nC @ 10V 2700pF @ 25V 10V ±20V
IXFH12N100
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IXYS MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD HiPerFET™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AD (IXFH) 300W (Tc) N-Channel - 1000V 12A (Tc) 1.05 Ohm @ 6A, 10V 4.5V @ 4mA 155nC @ 10V 4000pF @ 25V 10V ±20V
IXFT12N100
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$14.57
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679
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IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 HiPerFET™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268 300W (Tc) N-Channel - 1000V 12A (Tc) 1.05 Ohm @ 6A, 10V 4.5V @ 4mA 155nC @ 10V 4000pF @ 25V 10V ±20V
IXTH12N100
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$12.94
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757
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IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 MegaMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 (IXTH) 300W (Tc) N-Channel - 1000V 12A (Tc) 1.05 Ohm @ 6A, 10V 4.5V @ 250µA 170nC @ 10V 4000pF @ 25V 10V ±20V
IXFH12N100Q
单位
$12.86
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RFQ
963
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IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD HiPerFET™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AD (IXFH) 300W (Tc) N-Channel - 1000V 12A (Tc) 1.05 Ohm @ 6A, 10V 5.5V @ 4mA 90nC @ 10V 2900pF @ 25V 10V ±20V
IXFT12N100F
单位
$12.42
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RFQ
2,630
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IXYS-RF MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 HiPerRF™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268 (IXFT) 300W (Tc) N-Channel - 1000V 12A (Tc) 1.05 Ohm @ 6A, 10V 5.5V @ 4mA 77nC @ 10V 2700pF @ 25V 10V ±20V
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