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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
STP160N3LL
单位
$1.25
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RFQ
3,657
有现货
STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 120A TO-220AB STripFET™ H6 Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 136W (Tc) N-Channel - 30V 120A (Tc) 3.2 mOhm @ 60A, 10V 2.5V @ 250µA 42nC @ 4.5V 3500pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
IPD03N03LA G
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RFQ
1,263
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 90A TO-252 OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 115W (Tc) N-Channel - 25V 90A (Tc) 3.2 mOhm @ 60A, 10V 2V @ 70µA 41nC @ 5V 5200pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IPD03N03LA G
单位
$2.77
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RFQ
925
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 90A TO-252 OptiMOS™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 115W (Tc) N-Channel - 25V 90A (Tc) 3.2 mOhm @ 60A, 10V 2V @ 70µA 41nC @ 5V 5200pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IPD03N03LA G
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RFQ
2,305
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 90A TO-252 OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 115W (Tc) N-Channel - 25V 90A (Tc) 3.2 mOhm @ 60A, 10V 2V @ 70µA 41nC @ 5V 5200pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
STP240N10F7
单位
$6.11
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RFQ
3,867
有现货
STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 180A TO220 DeepGATE™, STripFET™ VII Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 300W (Tc) N-Channel - 100V 180A (Tc) 3.2 mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 250µA 176nC @ 10V 12600pF @ 25V 10V ±20V
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